Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH11N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH11N65E
SIHH11N65E-T1-GE3 Hakkında
SIHH11N65E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 363mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında etkin anahtarlama sağlar. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında 130W güç dağıtabilir. Gate charge 68nC ve input capacitance 1257pF değerleri hızlı komütasyon için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1257 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 363mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok