Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH11N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH11N60EF
SIHH11N60EF-T1-GE3 Hakkında
SIHH11N60EF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. 357mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 8x8 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 114W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1078 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 357mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok