Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH11N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH11N60E
SIHH11N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH11N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 paketinde sunulan bu bileşen, 339mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konverterler, inverterler ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. 62nC gate charge değeri hızlı anahtarlamayı destekler. Surface mount montajı ile PCB tasarımında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1076 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 339mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok