Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHH105N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
SIHH105N60EF

SIHH105N60EF-T1GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SIHH105N60EF-T1GE3, 600V drain-source gerilimi ve 26A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel power MOSFET'tir. EF serisi hızlı switching özelliğine sahip bu transistör, 105mΩ (10V, 13A) maksimum on-resistance değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. PowerTDFN 8x8 yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlara uygun olan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. 50nC gate charge ve düşük giriş kapasitesi ile kontrollü ve hızlı switching davranışı gösterir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2099 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok