Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH100N60E
SIHH100N60E-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIHH100N60E-T1-GE3, 600V ve 28A drain akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100mΩ maksimum gate-source direnci ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerini gerçekleştirir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 174W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. ±30V gate voltaj sınırı ve 5V kapı eşik voltajı ile güvenli ve kontrollü çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 174W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok