Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH080N60E
SIHH080N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH080N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 8 yüzeyde monte paketinde sunulan bu komponent, 32A sürekli dren akımı ve 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüm voltajı ile çalışan cihaz, 184W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 63nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 184W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok