Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH070N60EF
SIHH070N60EF-T1GE3 Hakkında
SIHH070N60EF-T1GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 36A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 71mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı modüllerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2647 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok