Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH068N60E
SIHH068N60E-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIHH068N60E-T1-GE3, 600V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 34A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 68mOhm maksimum on-state direnç (10V gate voltajında 15A'da) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. PowerPAK 8x8 SMD paketi kompakt tasarımlar için uygun boyutlandırılmıştır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işlem gerçekleştirir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 202W maksimum güç tüketimi ile soğutma çözümleriyle entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok