Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG80N60EF
SIHG80N60EF-GE3 Hakkında
SIHG80N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V 80A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 32mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük konaksiyon kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montajına uygundur ve 520W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok