Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG80N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG80N60E
SIHG80N60E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHG80N60E-GE3, 600V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel güç MOSFET'idir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. Endüstriyel inverter, motor sürücü devreleri, güç kaynakları ve sıcak taraf (high-side) anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazda 520W maksimum güç dağıtımı gerçekleştirilebilir. 10V gate sürücü voltajında optimize edilmiş tasarımı standart sürücü entegrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 443 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok