Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SIHG73N60AEL

SIHG73N60AEL-GE3 Hakkında

SIHG73N60AEL-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel Power MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 69A sürekli drenaj akımı ve 42mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 520W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işletilir. 600V Drain-Source gerilimi desteği, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Gate Charge değeri 342nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sunar. NOT: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 69A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6709 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 36.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok