Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG70N60EF
SIHG70N60EF-GE3 Hakkında
SIHG70N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V/70A kapasiteli N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paket formatında sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek için tasarlanmıştır. 38mOhm düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 380nC gate charge ve 7500pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir yapıya sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 520W güç dissipasyon kapasitesi, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, adaptörler ve off-line SMPS (Switch Mode Power Supply) uygulamalarında kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB tasarımında kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok