Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG70N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG70N60AEF
SIHG70N60AEF-GE3 Hakkında
Vishay SIHG70N60AEF-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 600V drain-source voltajında 60A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. Yüksek voltaj güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, solar inverterleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 410nC gate charge ve 5348pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 417W maksimum güç yayabilmesi ile ağır yüklü devrelerde uygulanır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel baskı devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 410 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5348 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok