Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG64N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG64N65E
SIHG64N65E-GE3 Hakkında
SIHG64N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 64A sürekli dren akımı kapasitesine ve 47mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. ±30V Vgs voltaj aralığında çalışabilen transistör, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C arasında) güvenilir performans sunar. 520W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (369nC) ve düşük input kapasitansi (7497pF) hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 369 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7497 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok