Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG61N65EF
SIHG61N65EF-GE3 Hakkında
SIHG61N65EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247AC paketinde sunulan bu bileşen, 64A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 47mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate şarjı 371nC ve giriş kapasitansi 7407pF'dir. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. 520W maksimum güç harcaması ile endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücülerde, switching devrelerde ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaktadır. ±30V VGS toleransı ve 10V drive voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 371 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7407 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 30.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok