Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG47N65E
SIHG47N65E-GE3 Hakkında
SIHG47N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 47A sürekli dren akımı ve 72mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 273nC olan cihaz, anahtarlama hızı gerektiren endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, 417W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulamalardan yararlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5682 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok