Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG47N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG47N60AEL
SIHG47N60AEL-GE3 Hakkında
SIHG47N60AEL-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V/47A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 kasa türünde üretilen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlemleri için kullanılır. 65mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. 379W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve invertör devreleri gibi ağır yük uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 222nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ancak bu ürün Obsolete (üretimi sonlanmış) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 222 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 379W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 23.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok