Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG460B-GE3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG460B
SIHG460B-GE3 Hakkında
SIHG460B-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük 250mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3094 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok