Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG35N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG35N60E
SIHG35N60E-GE3 Hakkında
SIHG35N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 32A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247AC paketinde sunulan bu bileşen, 94mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen ve 250W güç dağıtabilecek kapasitede olan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürüş voltajı ile kolay entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2760 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok