Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG33N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG33N65EF
SIHG33N65EF-GE3 Hakkında
SIHG33N65EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 31.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, 109mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama güç elektronikleri, invertörler, welding (kaynak) ekipmanları ve industrial motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 171nC gate charge ve 4026pF input kapasitans ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 171 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4026 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok