Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG32N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG32N50D
SIHG32N50D-GE3 Hakkında
SIHG32N50D-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel şarj cihazları, kaynak makineleri, invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi ve 390W güç yayma kapasitesi, zorlu ortamlar için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok