Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG32N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG32N50D
SIHG32N50D-E3 Hakkında
SIHG32N50D-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, enerji yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilirken, geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C) sayesinde zorlu ortamlarda da güvenilir performans sağlar. Through-hole montaj tipi, endüstriyel ve profesyonel uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok