Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG25N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG25N50E
SIHG25N50E-GE3 Hakkında
SIHG25N50E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim derecesi ve 26A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 145mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 250W güç tüketimine kadar tasarlanmıştır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok