Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG25N40D
SIHG25N40D-GE3 Hakkında
SIHG25N40D-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaktadır. 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kapasitesi endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1707 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok