Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG24N80AEF
SIHG24N80AEF-GE3 Hakkında
Vishay SIHG24N80AEF-GE3, 800V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel Power MOSFET transistördür. 20A sürekli drain akımı kapasitesi ve 195mOhm tipik on-state direnci ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Fast recovery özelliğine sahip bu transistör, yüksek gerilim endüstriyel uygulamaları, switch-mode güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve inverter devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 90nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1889 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok