Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG23N60E
SIHG23N60E-GE3 Hakkında
SIHG23N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 23A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 158mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 227W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2418 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok