Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHG22N60S-E3

MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SIHG22N60S

SIHG22N60S-E3 Hakkında

SIHG22N60S-E3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 22A sürekli drenaj akımı ve 190mΩ on-resistance değeri ile yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile besleme kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 110nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar. Düşük gate eşik gerilimi (4V @ 250µA) sayesinde küçük sürücü devrelerine uyumludur. Not: Bu ürün discontinued (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok