Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG22N60EL
SIHG22N60EL-GE3 Hakkında
Vishay SIHG22N60EL-GE3, 600V Drain-Source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, düşük on-resistance (197mΩ @ 11A, 10V) karakteristiği sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 227W maksimum güç dissipasyonu ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama hızı, düşük kapasitans değerleri ve 74nC gate charge özelliği ile verimli sürücü tasarımına olanak tanır. İnverter, şarj cihazları, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 197mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok