Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHG22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SIHG22N60AEL

SIHG22N60AEL-GE3 Hakkında

Vishay SIHG22N60AEL-GE3, 600V voltaj sınıfında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 21A sürekli drain akımı kapasitesiyle, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 180mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığına uyumlu olup, 208W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Through-hole montaj türü sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1757 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok