Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG22N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG22N50D
SIHG22N50D-E3 Hakkında
SIHG22N50D-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 22A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 230mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 312W güç yayabilir. Genellikle anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. Gate şarj değeri 98nC olup, ±30V gate-kaynak gerilimi aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1938 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok