Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG21N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG21N80AEF
SIHG21N80AEF-GE3 Hakkında
Vishay SIHG21N80AEF-GE3, 800V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel power MOSFET'tir. 25°C'de 16.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 250mΩ maximum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 10V gate drive voltajında 71nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüler, switched-mode power supplies (SMPS), motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 179W maksimum güç saçtırma kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1511 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok