Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG21N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG21N60EF
SIHG21N60EF-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHG21N60EF-GE3, 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 176mOhm maksimum on-resistance değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 84nC gate charge ve düşük kapasitans özellikleri sayesinde yüksek hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı ve 227W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, AC-DC dönüştürücüler, UPS sistemleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2030 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 176mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok