Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG20N50C
SIHG20N50C-E3 Hakkında
SIHG20N50C-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 270mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaybı uygulamalarında maksimum 250W power dissipation kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. İnverter devreleri, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge 76nC olup, 10V gate drive voltajı ile tetiklenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2942 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok