Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG186N60EF
SIHG186N60EF-GE3 Hakkında
SIHG186N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 8.4A sürekli dren akımı ve 193mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj DC/DC dönüştürücüleri, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 32nC gate charge ve 1081pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, 10V gate drive voltajında tam iletken durumuna geçer ve 156W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 193mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok