Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG17N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG17N80AEF
SIHG17N80AEF-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHG17N80AEF-GE3, 800V Drain-Source gerilimi ile çalışan N-Channel power MOSFET transistördür. 15A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç (305mOhm @ 10V) sayesinde ısı kaybını minimalize eder. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ile güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 179W maksimum güç dissipasyonu ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 305mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok