Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG17N80AE
SIHG17N80AE-GE3 Hakkında
SIHG17N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 15A sürekli drain akımı ve 290mΩ (10V, 8.5A'de) On-resistance ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilir ve maksimum 179W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 62nC gate charge ve 1260pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Yüksek gerilim uygulamaları, indüktör sürücüleri, AC-DC konvertörleri ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde kullanılmaya uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok