Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG125N60EF
SIHG125N60EF-GE3 Hakkında
SIHG125N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25A sürekli dren akımı ve 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. ±30V gate voltaj aralığı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 179W maksimum güç kaybı kapasitesi ile endüstriyel kontrol sistemleri, anahtarlama güç kaynakları, inverterler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1533 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok