Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG11N80AE
SIHG11N80AE-GE3 Hakkında
SIHG11N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8A sürekli dren akımı ve 450mOhm maksimum on-resistance değerleri ile güç uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 42nC gate charge ve 804pF input capacitance özellikleri ile hızlı switching karakteristiği sağlar. Anahtarlama güç kaynakları, invertörler, boost konvertörleri ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 804 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok