Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG105N60EF
SIHG105N60EF-GE3 Hakkında
Vishay SIHG105N60EF-GE3, 600V 29A kapasiteli N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 102mΩ (10V, 13A) üzerinde maksimum Rds(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. 53nC gate charge ve 1804pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel güç dönüştürme, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 208W maksimum güç dağılımına dayanır. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1804 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok