Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG080N60E
SIHG080N60E-GE3 Hakkında
SIHG080N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 600V drain-source voltajında 35A sürekli drenaj akımı sağlayabilmektedir. Rds(on) değeri 10V gate voltajında 80mOhm'dur. 227W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Yarı iletken anahtarlama, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılmaya uygundur. Through-hole montaj tipine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok