Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG068N60EF
SIHG068N60EF-GE3 Hakkında
Vishay SIHG068N60EF-GE3, 600V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 41A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 68mΩ maksimum on-direnç değeri (Rds On) ile verimliliğe katkıda bulunur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 250W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. Gate charge (77nC @ 10V) ve input capacitance (2628pF @ 100V) değerleri hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarımı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2628 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok