Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHG065N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SIHG065N60E

SIHG065N60E-GE3 Hakkında

Vishay SIHG065N60E-GE3, 600V 40A kapasiteli N-channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 65mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 250W'a kadar güç dağıtabilir. Endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj SMPS uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı ile güvenilir mekanik bağlantı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok