Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG050N60E
SIHG050N60E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHG050N60E-GE3, 600V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 51A sürekli drain akımı kapasitesi ve TO-247-3 paketlemesi ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 278W güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. İletişim tabanlı DC-DC konvertörler, UPS sistemleri, endüstriyel güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 130nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3459 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok