Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHG026N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHG026N60EF
SIHG026N60EF-GE3 Hakkında
SIHG026N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel Power MOSFET'tir. 95A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 26mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Hızlı anahtarlama özelliklerine sahip EF serisi tasarımı, 227nC gate charge ile verimli kapı yönetimi sunar. TO-247-3 paketinde sağlanan bu MOSFET, endüstriyel anahtarlayıcı güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve yüksek güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 521W maksimum güç dağıtımına karşılık gelir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 227 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7926 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 521W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok