Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFZ48S-GE3
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFZ48S
SIHFZ48S-GE3 Hakkında
SIHFZ48S-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10V gate sürücü gerilimi ile 18mΩ maksimum on-state direnci sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji verimliliği gerektiren endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate yükü (110nC @ 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde yüksek frekanslı devrelerde verimli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 43A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok