Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFU9220-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFU9220
SIHFU9220-GE3 Hakkında
SIHFU9220-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 3.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özelliği gösterir. TO-251-3 (IPak) paketlemesi, kompakt tasarımlı güç elektronik devreleri için uygundur. Gate şarjı 20nC ve 3400pF input kapasitansi değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Inverter devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlamalı yapılandırmalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok