Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFS9N60A-GE3
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFS9N60A
SIHFS9N60A-GE3 Hakkında
Vishay SIHFS9N60A-GE3, 600V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli 9.2A dren akımı kapasitesi ve 750mOhm maksimum on-state direnci ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilim aralığında işletilen bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve indüktif yüklerin sürülmesinde tercih edilir. 49nC gate charge ve 1400pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok