Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHFR9310TR-GE3

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SIHFR9310TR

SIHFR9310TR-GE3 Hakkında

Vishay SIHFR9310TR-GE3, 400V drain-source voltaj ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 1.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 7Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve doğru akım dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok