Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR9310-GE3
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR9310
SIHFR9310-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHFR9310-GE3, 400V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir P-Channel MOSFET'tir. 1.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 10V gate voltajında 7Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliğini destekler. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 50W maksimum güç dağılımı ve düşük gate charge karakteristikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. 13nC maksimum gate charge değeri hızlı komütasyon işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok