Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHFR9014-GE3
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHFR9014
SIHFR9014-GE3 Hakkında
SIHFR9014-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 5.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 500mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SIHFR9014-GE3, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlı regülatör tasarımlarında tercih edilir. ±20V gate-source gerilim kapasitesi ve 4V eşik gerilimi ile güvenli ve kontrollü anahtarlama imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok